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DS1220Y-150IND+ 发布时间 时间:2025/5/30 23:03:43 查看 阅读:5

DS1220Y 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片,具有静态随机存取存储器的功能,并结合了非易失性特性。这种芯片可以在掉电时通过内置的 EEPROM 自动保存数据,从而确保数据不丢失。
  该器件通常用于需要高可靠性和快速访问速度的应用场景,例如工业控制、医疗设备和通信系统等。DS1220Y-150IND+ 特指其封装为 SOIC-8 的版本。

参数

存储容量:32Kb (4096 x 8)
  工作电压:3V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保存时间:超过10年
  写入周期:无限制(无限次读写)
  封装类型:SOIC-8
  引脚数量:8

特性

DS1220Y 提供了高度可靠的非易失性存储功能,其主要特性包括:
  1. 集成了 SRAM 和 EEPROM 功能,提供高速读写性能的同时保证断电后数据的安全性。
  2. 内置自动数据保存电路,在掉电瞬间将 SRAM 中的数据无缝转移到 EEPROM。
  3. 具备无限次写入周期,解决了传统 EEPROM 在写入次数上的限制。
  4. 提供较宽的工作电压范围(3V 至 5.5V),适用于多种电源环境。
  5. 支持标准 CMOS 数字接口,与微控制器或 DSP 等主控单元兼容性良好。
  6. 小型化封装(如 SOIC-8),适合空间受限的设计应用。

应用

DS1220Y 广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备中的数据记录和配置保存。
  2. 医疗仪器中关键参数的存储,如监护仪、血糖仪等。
  3. 通信系统中的网络配置信息和日志记录。
  4. 消费电子产品的用户设置和校准数据存储。
  5. 数据采集模块中临时缓存数据的保护。
  6. 嵌入式系统中的非易失性存储解决方案,尤其是对速度和可靠性要求较高的场合。

替代型号

DS1220Y-100+, DS1220Y-250+, DS1225

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