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BUK768R1-100E,118 发布时间 时间:2025/9/14 16:49:52 查看 阅读:6

BUK768R1-100E,118是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分拆出来的公司)制造的功率MOSFET器件。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能,适用于各种高功率和高频应用。这款MOSFET的封装形式为TO-220AB,便于安装和散热处理。其设计目标是为电源管理和功率转换电路提供高性能、高可靠性的解决方案。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  连续漏极电流(Id)@25°C:160A
  导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ
  栅极电荷(Qg):250nC
  功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BUK768R1-100E,118采用了Nexperia领先的TrenchMOS技术,具备极低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,使其在高电流和高频条件下表现出色。该器件的高电流承载能力和低损耗特性,使得其在功率转换器、电机驱动和电池管理系统等应用中非常受欢迎。
  此外,该MOSFET具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。其封装形式为TO-220AB,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。该器件还具备高雪崩能量耐受能力,提高了系统的可靠性和耐用性。
  由于其低导通损耗和开关损耗,BUK768R1-100E,118在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等应用中表现出色,能够显著提高系统效率并减少散热需求。

应用

BUK768R1-100E,118广泛应用于各类高功率电子设备中,包括电源管理系统、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器等。
  在汽车电子领域,该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)和电动汽车的功率管理模块。此外,在消费类电子产品中,如高性能计算机电源和服务器电源系统,BUK768R1-100E,118也表现出良好的适用性。
  由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也常用于需要长时间运行和高稳定性的工业控制系统中,例如自动化生产线控制柜、高频电源模块和高功率LED照明驱动电路。

替代型号

STP150N10F7-RL, IPP160R1K0C7-11, FDS6680, IRFP4468PBF

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BUK768R1-100E,118参数

  • 现有数量0现货
  • 价格800 : ¥14.33765卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态最后售卖
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.1 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)108 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7380 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)263W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB