时间：2025/7/22 16:15:16
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STD10NF10T4-TR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性。该MOSFET采用T4封装（PowerFLAT 5x6 HV），适用于需要紧凑布局和高效散热的电路设计。STD10NF10T4-TR广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关、电池管理系统以及工业自动化设备中。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：8.5A（在25°C环境温度下）
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
功率耗散(Pd)：50W
输入电容(Ciss)：1200pF @ Vds=50V
开启阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
STD10NF10T4-TR具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下，器件的导通损耗最小化，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用先进的平面工艺制造，提供良好的热稳定性和抗热失效能力，能够在高负载环境下保持稳定运行。此外，其PowerFLAT封装设计不仅体积小巧，便于在PCB上布局，而且具有优良的热传导性能，有助于快速散热。该器件还具有较高的雪崩耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定工作，提高系统的可靠性。栅极驱动特性优化，确保快速开关操作，从而降低开关损耗并提高电源转换效率。
另外，该MOSFET具有良好的抗短路能力和高dv/dt容限，适合在高频开关应用中使用。其栅极结构设计降低了寄生电感的影响，从而提升高频响应和动态性能。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业和汽车电子等对环保要求较高的应用场景。
STD10NF10T4-TR广泛应用于多种电源管理及功率控制电路中，如同步整流型DC-DC转换器、降压（Buck）与升压（Boost）变换器、负载开关和电机驱动电路。由于其具备低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于高效率、小体积的电源模块设计。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制、工业自动化设备的功率开关控制、LED照明驱动电路以及各种便携式电子设备的电源管理单元。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源转换系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用。
STP10NF10T4-TR, FDP10N10LV, IRF1010E, NTD10N10CLT4G
