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STD10NF10T4-TR 发布时间 时间:2025/7/22 16:15:16 查看 阅读:9

STD10NF10T4-TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计,具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性。该MOSFET采用T4封装(PowerFLAT 5x6 HV),适用于需要紧凑布局和高效散热的电路设计。STD10NF10T4-TR广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关、电池管理系统以及工业自动化设备中。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):8.5A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6 HV
  功率耗散(Pd):50W
  输入电容(Ciss):1200pF @ Vds=50V
  开启阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V

特性

STD10NF10T4-TR具备多项高性能特性,首先其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流工作条件下,器件的导通损耗最小化,从而提高整体系统效率。其次,该MOSFET采用先进的平面工艺制造,提供良好的热稳定性和抗热失效能力,能够在高负载环境下保持稳定运行。此外,其PowerFLAT封装设计不仅体积小巧,便于在PCB上布局,而且具有优良的热传导性能,有助于快速散热。该器件还具有较高的雪崩耐受能力,能够在突发电压冲击下保持稳定工作,提高系统的可靠性。栅极驱动特性优化,确保快速开关操作,从而降低开关损耗并提高电源转换效率。
  另外,该MOSFET具有良好的抗短路能力和高dv/dt容限,适合在高频开关应用中使用。其栅极结构设计降低了寄生电感的影响,从而提升高频响应和动态性能。同时,该器件符合RoHS环保标准,适用于工业和汽车电子等对环保要求较高的应用场景。

应用

STD10NF10T4-TR广泛应用于多种电源管理及功率控制电路中,如同步整流型DC-DC转换器、降压(Buck)与升压(Boost)变换器、负载开关和电机驱动电路。由于其具备低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适用于高效率、小体积的电源模块设计。此外,它也常用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制、工业自动化设备的功率开关控制、LED照明驱动电路以及各种便携式电子设备的电源管理单元。在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载电源转换系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器等应用。

替代型号

STP10NF10T4-TR, FDP10N10LV, IRF1010E, NTD10N10CLT4G

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