时间：2025/6/27 10:42:41
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PBSS4041PZ是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN322-8封装形式。该器件主要用于低电压、大电流应用场合，例如DC/DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功耗并提高系统效率。
由于其出色的性能表现，PBSS4041PZ在便携式电子设备、通信电源以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.2W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
栅极电荷(Qg)：9nC（典型值）
反向恢复时间(trr)：7ns（典型值）
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高度集成的小型PDFN322-8封装，有助于节省PCB空间。
4. 提供出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的应用。
5. 支持高脉冲电流能力，适用于动态负载条件下的场景。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC/DC转换器的高端或低端开关。
3. 负载开关和过流保护电路。
4. 消费类电子产品的电池管理模块。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. 通信设备中的信号切换和电源分配网络。
PBSS4041NZ, PBSS4040PZ
