DRV5013 是一款由德州仪器(TI)生产的霍尔效应锁存器传感器集成电路。该器件采用先进的 BiCMOS 工艺制造,具有高灵敏度和低功耗的特点。DRV5013 能够检测磁场方向的变化,并输出与磁场方向相对应的数字信号。它广泛应用于速度感应、位置检测以及角度测量等领域。
DRV5013BCQLPG 是其一种封装形式,采用 SOT-23 封装,适合在小型化设计中使用。这款芯片内置了温度补偿电路,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
工作电压:2.8V 至 5.5V
电源电流:最大 7mA
工作温度范围:-40°C 至 150°C
响应时间:少于 5μs
输出类型:集电极开路输出
磁灵敏度:BOP = +25G, BRP = -25G
1. 高灵敏度霍尔效应传感器,能够精确检测微弱磁场。
2. 内置温度补偿功能,确保在极端温度条件下稳定运行。
3. 支持宽范围供电电压,适应多种应用需求。
4. 快速响应时间,适用于动态环境下的磁场检测。
5. 低功耗设计,非常适合电池供电设备。
6. 提供过压保护和反向保护功能,增强系统可靠性。
1. 汽车电子领域中的速度传感器和位置传感器。
2. 工业自动化设备的速度控制和角度测量。
3. 消费类电子产品中的开关检测和接近感应。
4. 家电产品中的电机控制和负载监控。
5. 医疗设备中的运动监测和安全联锁功能。
DRV5012, DRV5014