类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID@25℃）：15A
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-262、TO-220、TO-3P等

FQA15N50具备多项优良特性，使其在功率电子系统中表现出色。首先，其高达500V的漏源电压使得该MOSFET适用于高电压开关应用，如工业电源和LED照明驱动器。其次，15A的连续漏极电流能力使其能够承受较大的负载，适合中高功率的DC-DC转换器和马达控制电路。此外，该器件具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，通常低于0.35Ω，从而降低了导通损耗并提高了能效。
　　在热性能方面，FQA15N50采用了高散热效率的封装形式，例如TO-220和TO-3P，可有效将热量传导至散热片，从而提高器件在高负载条件下的稳定性和寿命。此外，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了系统在异常工况下的可靠性。
　　从控制角度而言，FQA15N50的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~20V），兼容常见的MOSFET驱动IC，便于设计人员进行电路优化。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如谐振转换器和同步整流电路。

FQA15N50广泛应用于各种功率电子设备中，主要包括：开关电源（SMPS）中的主开关管，用于高效能AC-DC转换；DC-DC转换器中作为高侧或低侧开关，实现不同电压等级之间的能量转换；电机驱动电路中用于PWM控制，调节电机速度和扭矩；照明系统中用于LED驱动电源或高频镇流器；还可用于电源适配器、充电器、UPS不间断电源、工业自动化控制设备及家用电器中的功率控制模块。

FQA15N50C、FQP15N50C、IRFBC40、FQA16N50C、FQA18N50C