时间：2025/8/6 19:43:18
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INN3676C-H605-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款高性能集成式离线反激式开关电源控制器芯片，属于 InnoSwitch?3 系列产品之一。该芯片采用了 PowiGaN? 技术，集成了 725V 功率 MOSFET，并支持同步整流技术，能够实现高效率和低功耗的电源转换。INN3676C-H605-TL 适用于高功率密度的电源设计，如适配器、充电器、工业电源和家电电源等应用场景。
类型：离线反激式开关电源控制器
集成器件：725V 功率MOSFET
控制方式：准谐振（Quasi-Resonant）
输出功率：高达 60W
工作频率：可变频率，最大约 100kHz
封装形式：InSOP-24D
输入电压范围：85VAC 至 265VAC
输出电压精度：±3%
待机功耗：<10mW
效率等级：满足 DOE Level VI 和 EU CoC Tier 2 标准
保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输入欠压保护（Brown-in/Brown-out）
INN3676C-H605-TL 采用了 Power Integrations 的 PowiGaN? 技术，将高性能氮化镓（GaN）开关与控制器集成在同一封装内，显著提高了系统的转换效率和功率密度。其准谐振（Quasi-Resonant）工作模式可以在宽输入电压范围内实现零电压开关（ZVS），从而降低开关损耗，提高效率并减少电磁干扰（EMI）。芯片内部集成了同步整流控制器，可驱动外部同步整流MOSFET，进一步提升效率，特别是在低压大电流输出条件下优势明显。
该芯片支持多模式控制，包括连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振模式（QR），能够根据负载条件自动切换，以优化效率和输出稳定性。INN3676C-H605-TL 还具备先进的动态响应能力，可在负载突变时迅速调整输出电压，确保系统稳定运行。
此外，该芯片内置了多种保护机制，如过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输入欠压保护（Brown-in/Brown-out）以及输出过载保护等，确保在各种异常情况下系统的安全性和可靠性。芯片采用 InSOP-24D 封装，具备良好的散热性能和电气隔离能力，适用于高密度、小尺寸电源设计。
INN3676C-H605-TL 的设计简化了外部电路，减少了元件数量，降低了设计复杂度和生产成本。它符合全球最严格的能效标准，如 DOE Level VI 和 EU CoC Tier 2，适用于环保型电源产品开发。
INN3676C-H605-TL 广泛应用于需要高效、高功率密度的小型电源系统，如 USB PD 充电器、笔记本电脑适配器、智能家居设备电源、工业控制系统、LED 照明驱动电源、白色家电电源、无人机电源以及便携式医疗设备等。该芯片特别适合于要求高效率、小尺寸、轻负载和低待机功耗的电源设计。
INN3677C-H605-TL, INN3675C-H605-TL, UCD31380A
