DRV5013 是一款由德州仪器 (TI) 生产的霍尔效应传感器集成电路,该芯片专为需要高灵敏度和低功耗的应用而设计。DRV5013 系列支持模拟电压输出,可以精确地检测磁场强度的变化,并将其转换为相应的电压信号。这款芯片广泛应用于速度测量、位置检测以及电机控制等领域。
供电电压:2.7V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 150°C
带宽:30kHz
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:4.8mV/G(典型值)
静态电流:650μA(典型值)
响应时间:约12μs
封装形式:SOT-23
DRV5013BCQDBZRQ1 是 DRV5013 系列中的一个具体型号,其主要特性包括高灵敏度、低温漂移以及对磁场变化的快速响应能力。该器件内置了先进的补偿电路,可有效减少温度变化对输出的影响,从而提供更加稳定的性能。
此外,DRV5013 还具备低功耗的优势,非常适合电池供电设备或对能效要求较高的应用环境。它采用了小型 SOT-23 封装,便于集成到空间受限的设计中。
DRV5013 主要用于需要精确磁场检测的应用场景,例如无刷直流电机 (BLDC) 的换向控制、接近开关、液位传感器、旋转编码器以及工业自动化设备的位置检测等。同时,该芯片也适用于消费类电子产品中的手势识别或开关状态监测功能。
DRV5012, DRV5014