时间：2025/8/14 0:38:54
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LMBTH10 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件主要用于高频应用和低功率放大电路中。LMBTH10 的设计使其在高频操作下具有出色的性能，适合用于射频（RF）和高速开关应用。它采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术（SMT），这使得它在现代电子设备中广泛使用，尤其是在通信设备和便携式电子产品中。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150 °C
封装类型：SOT-23
过渡频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：在 2 mA 时为 110 至 800（根据不同的等级）
存储温度范围：-55 °C 至 150 °C
LMBTH10 具有一系列出色的特性，使其在高频和低功率应用中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）达到 250 MHz，这意味着该晶体管可以在高频环境下保持良好的增益特性，适用于射频放大器和高频开关电路。其次，LMBTH10 的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级，可以在 110 到 800 之间变化，这使得它可以根据具体应用需求选择合适的增益水平。此外，该晶体管具有较低的饱和压降，有助于减少功率损耗并提高效率。LMBTH10 的 SOT-23 小型封装使其非常适合用于空间受限的设计，并且支持表面贴装技术，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。此外，该器件的可靠性较高，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合用于工业和通信设备中的关键电路。
LMBTH10 广泛应用于高频放大器、射频（RF）模块、无线通信设备、高速开关电路以及便携式电子产品中。由于其高频性能和小型封装，LMBTH10 常用于射频信号放大和调制解调电路。在无线通信系统中，它可以用于前级放大器或缓冲放大器，以提高信号的强度和稳定性。此外，该晶体管也常用于数字电路中的高速开关应用，例如逻辑电平转换和驱动小型继电器或 LED 显示器。在消费类电子产品中，LMBTH10 可用于音频放大器的预放大级，提供清晰的信号增益。
BC847、2N3904、MMBT3904
