时间：2025/7/8 23:46:27
阅读：14
DRV5013AGODBZR 是一款由德州仪器（TI）生产的霍尔效应传感器集成电路。该器件集成了一个高灵敏度的霍尔电压发生器、信号放大器、施密特触发器和输出驱动器，能够将磁场的变化转化为数字输出信号。DRV5013 采用小尺寸 SOT-23 封装，适用于空间受限的应用场景。该芯片广泛用于位置检测、速度测量、电流感应以及电机换向等领域。
DRV5013 系列产品支持多种工作模式，并具有极低的功耗和出色的温度稳定性，使其非常适合电池供电设备和其他对能耗敏感的应用。
电源电压：1.6V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
静态电流：2.5μA（典型值）
响应时间：150μs（最大值）
磁灵敏度：-45Gauss（Bop 典型值），+45Gauss（Brp 典型值）
输出类型：推挽输出
封装形式：SOT-23-3
DRV5013AGODBZR 提供了以下关键特性：
1. 超低功耗设计，特别适合电池供电设备。
2. 高灵敏度的霍尔传感器，可检测微弱的磁场变化。
3. 内置 EMC 改善电路，提高了抗电磁干扰能力。
4. 宽工作电压范围，适应不同的电源系统。
5. 推挽输出结构，简化了与后续电路的接口设计。
6. 极宽的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
DRV5013AGODBZR 主要应用于以下领域：
1. 无刷直流电机（BLDC）的换向控制。
2. 消费电子中的开关和位置检测，例如手机翻盖检测。
3. 工业自动化设备的位置和速度监测。
4. 家电产品中的非接触式开关，如冰箱门检测。
5. 汽车电子系统中的角度和线性位移测量。
6. 电流传感模块，用于监控负载电流或保护电路。
DRV5013AGQDBZR, DRV5013AQMDBZR
