DRV5013AGODBZR 是一款由德州仪器(TI)生产的霍尔效应传感器集成电路。该器件集成了一个高灵敏度的霍尔电压发生器、信号放大器、施密特触发器和输出驱动器,能够将磁场的变化转化为数字输出信号。DRV5013 采用小尺寸 SOT-23 封装,适用于空间受限的应用场景。该芯片广泛用于位置检测、速度测量、电流感应以及电机换向等领域。
DRV5013 系列产品支持多种工作模式,并具有极低的功耗和出色的温度稳定性,使其非常适合电池供电设备和其他对能耗敏感的应用。
电源电压:1.6V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
静态电流:2.5μA(典型值)
响应时间:150μs(最大值)
磁灵敏度:-45Gauss(Bop 典型值),+45Gauss(Brp 典型值)
输出类型:推挽输出
封装形式:SOT-23-3
DRV5013AGODBZR 提供了以下关键特性:
1. 超低功耗设计,特别适合电池供电设备。
2. 高灵敏度的霍尔传感器,可检测微弱的磁场变化。
3. 内置 EMC 改善电路,提高了抗电磁干扰能力。
4. 宽工作电压范围,适应不同的电源系统。
5. 推挽输出结构,简化了与后续电路的接口设计。
6. 极宽的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
DRV5013AGODBZR 主要应用于以下领域:
1. 无刷直流电机(BLDC)的换向控制。
2. 消费电子中的开关和位置检测,例如手机翻盖检测。
3. 工业自动化设备的位置和速度监测。
4. 家电产品中的非接触式开关,如冰箱门检测。
5. 汽车电子系统中的角度和线性位移测量。
6. 电流传感模块,用于监控负载电流或保护电路。
DRV5013AGQDBZR, DRV5013AQMDBZR