类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A（连续）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约28mΩ（典型值，VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-223

LR8401具有多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中的效率，减少了导通损耗。此外，该器件具备较高的栅极耐压能力，允许在宽范围的栅极驱动电压下稳定工作，提高了设计的灵活性。
　　其次，LR8401采用了SOT-223小尺寸封装，适用于空间受限的电路设计，同时具备良好的热稳定性，能够有效散热。这种封装形式也便于自动化贴片安装，提高了生产效率。
　　再者，LR8401具有快速开关能力，适合高频功率转换应用。其开关损耗低，有助于提升系统整体能效，尤其在DC-DC转换器和负载开关等应用中表现优异。
　　最后，该MOSFET具有较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。

LR8401广泛应用于多个领域，例如：
　　电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、稳压器等，提高转换效率。
　　电池管理系统：作为负载开关或充电控制开关，保护电池和系统安全。
　　马达驱动：用于小型马达或风扇的控制电路中，实现高效开关控制。
　　消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、便携式设备等中的电源开关和功率控制电路。
　　工业自动化：用于PLC、传感器、执行器等设备中的功率控制模块。

Si2302DS, AO3400A, IRF7404, FDMS86101