类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
　　最大工作频率：典型值可达20kHz以上
　　导通压降：约1.7V（典型值）
　　反向恢复时间：快速恢复二极管特性
　　热阻（Rth）：较低的热阻，确保良好的散热性能

FGH75T60UD 模块具有多项先进特性，包括高功率密度设计、低导通损耗和开关损耗、以及良好的短路耐受能力。其内部集成的快速恢复二极管能够在高频率下稳定工作，减少能量损耗并提高系统效率。此外，该模块采用高可靠性的封装技术，具备优异的耐热性和机械强度，适用于严苛的工作环境。
　　模块的IGBT芯片采用了富士电机专有的沟槽栅极技术和场截止（Field Stop）结构，进一步降低了开关损耗，并提高了短路稳定性。同时，模块的热阻较低，有助于实现高效的热管理，延长器件的使用寿命。
　　在实际应用中，FGH75T60UD 能够支持多种拓扑结构，如全桥、半桥和三相逆变器等，适用于变频器、伺服驱动器、UPS系统以及太阳能逆变器等多种高功率电子系统。

FGH75T60UD 主要应用于需要高功率密度和高效能的工业电子设备中，包括工业变频器、伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及电动汽车充电系统等。由于其具备良好的开关性能和高可靠性，该模块在各类电力电子变换系统中发挥着重要作用，尤其适用于需要高频开关和高效率的场合。

FGH80N60UFD、FGH75N60UFD、STGF75NC60D