时间:2025/12/26 1:00:11
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DRGH855MB150是一款由Diodes Incorporated生产的高效率、单片同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和嵌入式系统中。该器件集成了两个MOSFET(上管和下管),实现了无需外置肖特基二极管的同步整流架构,从而显著提升了转换效率并减少了外部元件数量。其输入电压范围较宽,通常支持2.7V至5.5V之间的输入,适合由单节锂离子电池或3.3V/5V系统电源供电的应用场景。输出电压可通过外部电阻分压网络进行调节,也可选择固定输出版本,提供稳定的可调输出电压,适用于为微处理器、传感器、FPGA、ASIC等核心电路供电。该芯片采用电流模式控制架构,具备快速瞬态响应能力,能够在负载突变时维持输出电压稳定。此外,DRGH855MB150还内置了多种保护功能,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常情况下的安全运行。封装形式为小型化的MLF(Micro Lead Frame)或DFN类型,有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
型号:DRGH855MB150
制造商:Diodes Incorporated
拓扑结构:同步降压(Buck)
输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
输出电压范围:0.6V ~ 输入电压
最大输出电流:1.5A
开关频率:1.5MHz
控制方式:电流模式PWM
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:MLF-8(3mm x 3mm)
静态电流:典型值30μA
关断电流:小于1μA
反馈参考电压:0.6V ±2%
DRGH855MB150采用先进的BiCMOS工艺制造,具备出色的能效表现,在轻载和满载条件下均能保持较高的转换效率。其高达1.5MHz的开关频率使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件,进一步缩小整体电源解决方案的体积。电流模式控制架构不仅提升了环路稳定性,还增强了对输入电压变化和负载波动的动态响应能力。芯片内部集成的上管功率MOSFET导通电阻低至80mΩ,下管同步整流MOSFET导通电阻约为50mΩ,有效降低了导通损耗,提高了整体效率。在轻载状态下,器件自动进入脉冲跳跃模式(Pulse Skipping Mode),以降低开关损耗,延长电池使用寿命,特别适用于移动设备和物联网终端。
该器件具有精确的0.6V基准电压源,精度可达±2%,确保输出电压的高稳定性。通过外部电阻分压器可灵活设置输出电压,最小可调至0.6V,满足低压核心供电需求。软启动功能通过内部设定时间逐步建立输出电压,避免启动时产生过大浪涌电流,保护输入电源和后级电路。过流保护机制基于峰值电流检测实现,当电感电流超过设定阈值时立即关断开关管,防止损坏芯片或外围元件。过温保护则在结温超过安全限值(通常为150°C)时自动切断输出,待温度下降后恢复正常工作,具备自恢复能力。
DRGH855MB150还具备良好的电磁兼容性设计,高频操作结合小型封装有利于减少EMI辐射。其启用(EN)引脚支持外部逻辑电平控制,允许系统微控制器按需开启或关闭电源模块,实现节能管理。所有这些特性使其成为高性能、低功耗电源管理应用的理想选择。
DRGH855MB150广泛用于各类低功耗、高效率要求的电子设备中,尤其是在空间受限且依赖电池供电的场合。典型应用包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨,如为摄像头模组、触摸屏控制器或传感器模块提供稳定的1.8V或3.3V电压。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中,该芯片因其高效率和小封装优势,常被用作主处理器的核心电源。此外,它也适用于工业传感器节点、无线通信模块(如Wi-Fi、Bluetooth LE、Zigbee)以及便携式医疗设备,这些应用通常要求长时间运行和低静态功耗。
在消费类电子产品中,DRGH855MB150可用于机顶盒、智能家居控制面板、USB供电设备等系统的电源转换部分。由于其支持宽输入电压范围,能够适应电池电压随放电过程下降的变化,因此非常适合单节锂电池供电系统。在嵌入式系统中,该芯片常作为FPGA、MCU或DSP的内核电源(VCCINT)或I/O电源的二级稳压器,配合LDO构成多路电源管理系统。同时,其高开关频率特性有助于避免与敏感信号频段(如音频或射频)发生干扰,提升系统整体可靠性。
在测试与测量仪器、便携式数据采集设备中,该器件也能提供干净、稳定的电源输出,满足精密模拟前端(如ADC、DAC)对电源纹波抑制的要求。总体而言,DRGH855MB150凭借其高集成度、高效率和紧凑设计,已成为现代低功耗电子系统中不可或缺的电源管理组件之一。