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ME4942 发布时间 时间:2025/9/12 13:33:57 查看 阅读:28

ME4942是一款由MagnaChip公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于电源管理和DC-DC转换器应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适用于高性能电源系统的设计。ME4942采用先进的平面工艺制造,具有优异的电性能和可靠性,适合用于服务器、通信设备、工业控制、电池管理系统等对功率效率和稳定性要求较高的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):40A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):150W

特性

ME4942的核心优势在于其极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ,有效降低了导通状态下的功耗,减少了发热,提升了整体系统的稳定性与可靠性。
  此外,ME4942具有高电流承载能力和优异的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。其最大漏极电流可达40A,漏-源电压最大为30V,适用于中高功率的DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等应用。该器件采用TO-220封装,具备良好的散热能力,适用于需要高可靠性和高效率的工业与通信设备。
  在栅极驱动方面,ME4942支持高达±20V的栅-源电压,允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制,兼容性良好。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应性广泛,适用于各种严苛的工业环境。

应用

ME4942广泛应用于各类电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及服务器和通信设备的电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、高稳定性的理想选择。在工业控制领域,ME4942可用于电机驱动、电源分配系统和高功率LED驱动电路。此外,在消费类电子产品中,也可用于电源适配器、充电器和便携式设备的电源管理电路。

替代型号

Si4942DY-T1-GE3, IRF4905, AO4403, NTD49N03R

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