时间：2025/12/26 3:02:33
阅读：13
DRGH110MB120是一款由Diodes Incorporated生产的高效率、高电压MOSFET功率晶体管，主要用于电源管理与转换应用。该器件采用先进的沟道栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适用于高频DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及开关模式电源（SMPS）等高功率密度设计场景。DRGH110MB120的封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。
该MOSFET为N沟道结构，额定电压为120V，最大连续漏极电流可达48A，能够承受较高的瞬态电流负载。其设计注重能效优化，在轻载和满载条件下均能保持较低的导通损耗和开关损耗，有助于提升整体系统效率。此外，器件符合RoHS环保标准，并通过了相关的可靠性测试，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品及汽车电子等多种应用场景。
由于其优异的电气特性和坚固的封装设计，DRGH110MB120被广泛用于需要高功率处理能力且空间受限的设计中。同时，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或反向感应电压下提供一定程度的自我保护，从而增强系统的稳定性和安全性。
型号：DRGH110MB120
制造商：Diodes Incorporated
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：120V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：48A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：192A
导通电阻（RDS(on)）：11mΩ @ VGS=10V, ID=24A
导通电阻（RDS(on)）：14mΩ @ VGS=4.5V, ID=24A
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：4000pF @ VDS=60V
输出电容（Coss）：1000pF @ VDS=60V
反向恢复时间（trr）：28ns
工作结温范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263 (D2PAK)
安装方式：表面贴装
DRGH110MB120具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为11mΩ，显著降低了大电流条件下的导通损耗，提升了电源系统的整体能效。这一特性使其非常适合用于高电流输出的同步降压变换器中作为主开关或同步整流器使用。同时，即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)也仅上升至14mΩ，表现出良好的低电压驱动兼容性，可适配多种控制器IC输出逻辑电平。
该器件采用先进的沟道工艺设计，确保了载流子迁移率的优化，从而实现了高速开关响应。其输入电容为4000pF，输出电容为1000pF，在高频操作下仍能保持可控的驱动功耗，有利于减少栅极驱动电路的负担。此外，较短的反向恢复时间（trr=28ns）意味着体二极管在关断过程中产生的反向电流较小，有助于降低开关节点的振铃现象和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
从热管理角度来看，TO-263（D2PAK）封装提供了较大的散热焊盘面积，可通过PCB上的铜层有效传导热量，实现良好的热耗散。在适当布局条件下，该器件可在不加额外散热片的情况下支持较高功率运行。其最大工作结温高达+175°C，表明其具备优秀的高温可靠性，适用于环境温度较高的工业或车载应用场合。
DRGH110MB120还具备一定的抗雪崩能力，能够在意外过压事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。所有参数均经过严格测试，并保证在全温度范围内的一致性，适用于对长期运行稳定性要求较高的产品设计。
DRGH110MB120广泛应用于各类需要高效功率转换的电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是高电流输出的AC-DC和DC-DC转换器，例如服务器电源、电信整流模块和工业电源单元。在这些应用中，它常被用作初级侧的功率开关或次级侧的同步整流器件，以替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗并提升转换效率。
此外，该器件也适用于大功率LED驱动电源、电池充电管理系统（BMS）、电动工具电源模块以及太阳能逆变器中的直流斩波电路。其高电流承载能力和快速开关特性使其在脉宽调制（PWM）控制的电机驱动器中表现优异，可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动拓扑中，提供高效的功率切换功能。
在通信基础设施设备中，如基站电源和光模块供电电路，DRGH110MB120凭借其稳定的电气性能和良好的EMI表现，成为关键的功率元件之一。同时，因其符合工业级温度要求，也可用于户外设备或恶劣环境下的嵌入式控制系统。总之，凡是需要120V耐压等级、高效率、高可靠性的N沟道MOSFET的应用场景，DRGH110MB120都是一个极具竞争力的选择。
DMTH110SD120L
