时间：2025/12/27 19:42:13
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DR334A-513AE 是一款由 Diodes Incorporated 生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用 SOT-23 封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，配置为共阴极对（Common Cathode Pair），即两个二极管的阴极连接在一起，并从封装的一个引脚引出。这种结构特别适用于需要双通道整流或电压钳位保护的应用场景。由于采用了肖特基势垒技术，DR334A-513AE 具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，能够在高频开关环境中高效运行，同时减少功耗和热量积累。该器件广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号整流与保护、I/O 端口静电放电（ESD）防护等领域。其小型化的 SOT-23 封装使其非常适合空间受限的高密度 PCB 设计。此外，DR334A-513AE 符合 RoHS 指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
制造商：Diodes Incorporated
产品系列：
包装：卷带
系列：
容差：±5%
工作温度：-55℃ ~ 150℃（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：SOT-23
二极管配置：共阴极对
电流 - 平均整流 (Io)：300mA
速度：快速恢复 < 500ns
反向漏电流：500μA
正向电压（最大值）：470mV @ 300mA
击穿电压（最小值）：30V
击穿电压（典型值）：30V
击穿电压（最大值）：30V
反向恢复时间（trr）：4ns
电容@ Vr：95pF @ 0V
DR334A-513AE 的核心优势在于其采用肖特基势垒结构所带来的低正向压降和超快开关特性。该器件在 300mA 电流下的最大正向压降仅为 470mV，显著低于传统 PN 结二极管，这不仅提高了电源转换效率，还减少了热损耗，从而提升了系统的整体能效和可靠性。其反向恢复时间低至 4ns，是标准整流二极管的数十倍甚至上百倍之快，使得该器件在高频开关应用中表现出色，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和高速逻辑电路中的信号整形与钳位。由于其共阴极对的配置，两个二极管可以并联使用以提高电流承载能力，也可独立用于双路信号处理，提供了设计灵活性。
该器件的反向击穿电压为 30V，在低压系统中提供足够的安全裕度，适用于 5V、3.3V 或更低电压轨的保护和整流任务。其反向漏电流在高温条件下控制在 500μA 以内，确保在宽温范围内仍保持良好的关断特性。SOT-23 封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还具备良好的散热性能，能够有效传导工作时产生的热量。此外，该器件具有优异的 ESD 抗扰能力，可为敏感的 CMOS 和 TTL 输入输出端口提供一定程度的瞬态电压保护，防止因静电放电或电压浪涌导致的芯片损坏。这些特性共同使 DR334A-513AE 成为消费类电子、通信设备、工业控制模块和汽车电子中理想的双通道肖特基二极管解决方案。
DR334A-513AE 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和能效有较高要求的设计。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池充电路径的防倒灌二极管或 USB 接口的电源切换与保护电路。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流辅助电路或续流二极管，提升转换效率。其快速响应特性也使其适用于高速数字信号线的电压钳位，防止过冲和下冲损坏后级 IC。在微控制器单元（MCU）或 FPGA 的 I/O 引脚上，DR334A-513AE 可作为 ESD 保护元件，吸收瞬态能量，延长系统寿命。此外，在 LED 驱动电路中，它可用于防止反向电压对 LED 造成损伤。工业传感器接口、通信模块（如 RS-232、I2C 总线）以及音频信号路径中也常见其身影，用于信号整流、极性保护和噪声抑制。得益于其高可靠性和小型封装，该器件同样适用于汽车电子中的车身控制模块、信息娱乐系统和车载充电器等应用场景。
BAS40-04W, PMEG3030CPA, RB520S-40, MMBD4148WT
