MMBT6428LT1G 时间：2025/8/2 8:56:01 阅读：26

MMBT6428LT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管被广泛应用于开关电路和放大电路中，尤其适合低电压和中等功率的应用场景。MMBT6428LT1G采用SOT-23封装形式，具有良好的稳定性和可靠性，是许多电子设计中的常用元件。其主要设计特点包括高电流增益（hFE）、低饱和电压以及快速开关特性，适用于各种通用放大和数字开关应用。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　频率响应：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

MMBT6428LT1G具有多个显著的技术特性，使其在电子电路设计中表现优异。首先，其NPN结构提供了高效的电流放大能力，适用于从音频放大到数字开关的多种应用场景。晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为100V，使其能够承受较高的电压应力，适合用于中等电压的电路设计。
　　最大集电极电流为200mA，这使得MMBT6428LT1G能够在相对较高的电流条件下稳定工作，适用于驱动小型继电器、LED阵列或逻辑电路中的负载。此外，该晶体管的最大功率耗散为300mW，结合SOT-23的小型封装，提供了良好的散热性能，适合紧凑型设计。
　　该晶体管的频率响应可达100MHz，支持较高的工作频率，因此在射频（RF）和高速开关应用中也有较好的表现。其增益带宽积（fT）也为100MHz，表明其在高频放大电路中可以保持较高的增益稳定性。
　　MMBT6428LT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场合。同时，SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺（SMT）。

应用

MMBT6428LT1G适用于多种电子电路设计，常见的应用包括：在通用放大电路中作为前置放大器或中间级放大器使用；在数字电路中作为开关晶体管控制负载；在电源管理电路中用于电流调节或负载切换；在汽车电子系统中用于传感器信号放大或继电器控制；在消费类电子产品中作为音频放大器或LED驱动电路的一部分；在工业控制系统中用于电机驱动或继电器控制等应用场景。