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PMEG1020EV,115 发布时间 时间:2025/9/13 23:51:51 查看 阅读:5

PMEG1020EV,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的肖特基二极管,广泛用于电源管理和低电压应用中。该器件采用先进的肖特基势垒技术,具有较低的正向电压降(VF)和快速开关特性,从而减少了功耗并提高了系统效率。PMEG1020EV,115 采用SOD123表面贴装封装,适用于各种消费类电子产品、电源适配器、电池充电器和DC-DC转换器等应用。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
  最大平均正向电流(IF(AV)):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):40A
  正向电压(VF)@ IF=1A:最大0.35V
  反向漏电流(IR)@ VR=20V:最大100μA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装形式:SOD123
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PMEG1020EV,115 肖特基二极管具备多项优异特性,适用于多种低电压和高效率应用。其最大重复峰值反向电压为20V,允许在低压系统中稳定工作,同时具备良好的过压保护能力。该器件的最大平均正向电流为1A,能够满足中等功率需求的应用场景,例如电源转换和电池管理系统。
  采用先进的肖特基势垒技术,PMEG1020EV,115 具有极低的正向电压降(在1A电流下最大为0.35V),显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,其快速开关特性使其在高频应用中表现出色,如DC-DC转换器和同步整流电路。
  该器件的峰值正向浪涌电流可达40A,具有较强的抗冲击能力,适合在可能出现瞬态电流的应用环境中使用。其反向漏电流在20V反向电压下最大为100μA,保证了在高温和高压条件下的稳定性,有助于减少能量损耗和热效应。
  PMEG1020EV,115 采用SOD123封装形式,尺寸紧凑,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产,提高制造效率。该封装形式还具有良好的热管理能力,有助于提高器件在高负载下的可靠性。
  该二极管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于宽温环境下的应用,如汽车电子、工业控制系统和便携式设备。其存储温度范围同样广泛,为-65°C至+150°C,确保在各种存储和运输条件下的长期稳定性。

应用

PMEG1020EV,115 主要应用于需要高效能、低功耗和高稳定性的电子系统中。常见应用包括电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器、同步整流电路、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)、工业控制系统、汽车电子模块以及各种低电压电源管理电路。
  在电源适配器和充电器中,PMEG1020EV,115 可以作为整流元件,提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中,其低正向压降和快速开关特性使其成为理想的续流二极管或同步整流器替代方案。此外,该器件也适用于保护电路中,作为防止反向电流流动的阻断元件。
  由于其紧凑的SOD123封装和良好的热性能,PMEG1020EV,115 也非常适合用于高密度PCB设计,满足现代电子产品对小型化和高性能的双重要求。

替代型号

PMEG1020EA,115; PMEG1020EC,115; PMEG1020ER,115; 1N5819; SS14; SR102; VS-1N5819; RB551S-30; RB751S-40

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PMEG1020EV,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)10V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)460mV @ 2A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3mA @ 10V
  • 电容@ Vr, F45pF @ 5V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6778-6