K4S280432F-TC75 是一款由三星(Samsung)生产的 DDR2 SDRAM 芯片。该芯片主要用于需要高带宽和低功耗的存储应用,例如台式机、笔记本电脑、服务器以及其他嵌入式系统中作为主内存或缓冲存储器。
DDR2 技术通过在时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,实现了更高的数据传输速率,同时工作电压降低到1.8V,有助于减少功耗并提升系统性能。
类型:DDR2 SDRAM
容量:2 Gb (256Mb x 8)
组织结构:4 Banks
数据宽度:8 bit
I/O 引脚数:60 Pin FBGA
核心电压(Vcc):1.8V
I/O 电压(Vccq):1.8V
速度等级:DDR2-800 (PC2-6400)
CL值:5
封装类型:FBGA
工作温度范围:0°C 至 70°C
这款 DDR2 内存芯片具有以下特性:
1. 支持 DDR2-800 的高速数据传输速率,理论带宽可达 6.4 GB/s。
2. 采用 60 球 FBGA 封装形式,尺寸紧凑,适合空间受限的设计。
3. 使用先进的同步动态随机存取技术,确保快速可靠的数据读写操作。
4. 内置 ODT(On-Die Termination)功能,可优化信号完整性并减少反射噪声。
5. 工作电压降低至 1.8V,显著降低了功耗,延长了设备的电池寿命。
6. 支持 CAS Latency(CL)为 5,提供良好的延迟与性能平衡。
7. 提供高达 4 Banks 的内部银行架构,允许更高效的页面管理与数据访问。
K4S280432F-TC75 广泛应用于各种计算和存储领域:
1. 台式电脑和笔记本电脑中的主内存模块。
2. 嵌入式系统和工业计算机中的缓冲存储。
3. 网络设备如路由器和交换机中的高速缓存。
4. 用于服务器和工作站的大容量内存扩展。
5. 数字电视、游戏机等消费类电子产品中的图形处理和数据存储。
6. 医疗成像设备和其他高性能计算环境中的实时数据处理。
K4S280432F-TA75, K4S280432F-TB75