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K4S280432F-TC75 发布时间 时间:2025/7/16 13:00:25 查看 阅读:6

K4S280432F-TC75 是一款由三星(Samsung)生产的 DDR2 SDRAM 芯片。该芯片主要用于需要高带宽和低功耗的存储应用,例如台式机、笔记本电脑、服务器以及其他嵌入式系统中作为主内存或缓冲存储器。
  DDR2 技术通过在时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,实现了更高的数据传输速率,同时工作电压降低到1.8V,有助于减少功耗并提升系统性能。

参数

类型:DDR2 SDRAM
  容量:2 Gb (256Mb x 8)
  组织结构:4 Banks
  数据宽度:8 bit
  I/O 引脚数:60 Pin FBGA
  核心电压(Vcc):1.8V
  I/O 电压(Vccq):1.8V
  速度等级:DDR2-800 (PC2-6400)
  CL值:5
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:0°C 至 70°C

特性

这款 DDR2 内存芯片具有以下特性:
  1. 支持 DDR2-800 的高速数据传输速率,理论带宽可达 6.4 GB/s。
  2. 采用 60 球 FBGA 封装形式,尺寸紧凑,适合空间受限的设计。
  3. 使用先进的同步动态随机存取技术,确保快速可靠的数据读写操作。
  4. 内置 ODT(On-Die Termination)功能,可优化信号完整性并减少反射噪声。
  5. 工作电压降低至 1.8V,显著降低了功耗,延长了设备的电池寿命。
  6. 支持 CAS Latency(CL)为 5,提供良好的延迟与性能平衡。
  7. 提供高达 4 Banks 的内部银行架构,允许更高效的页面管理与数据访问。

应用

K4S280432F-TC75 广泛应用于各种计算和存储领域:
  1. 台式电脑和笔记本电脑中的主内存模块。
  2. 嵌入式系统和工业计算机中的缓冲存储。
  3. 网络设备如路由器和交换机中的高速缓存。
  4. 用于服务器和工作站的大容量内存扩展。
  5. 数字电视、游戏机等消费类电子产品中的图形处理和数据存储。
  6. 医疗成像设备和其他高性能计算环境中的实时数据处理。

替代型号

K4S280432F-TA75, K4S280432F-TB75

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