类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：32A（Tc=25°C）
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值为6.5mΩ，最大值为8.5mΩ（Vgs=10V）
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Ptot）：140W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　技术：STripFET? F7

DP3R020SU32JQ1R400 采用了STMicroelectronics最新的STripFET? F7技术，具有优异的导通和开关性能。其低Rds(on)特性显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热管理能力，即使在高功率密度应用中也能保持稳定运行。
　　该MOSFET的高雪崩耐受能力确保其在高压尖峰环境下仍能安全工作，提高了系统的可靠性和耐用性。由于其卓越的动态性能，该器件在高频开关应用中表现尤为出色，适用于需要快速开关的DC-DC转换器和电机驱动电路。
　　此外，DP3R020SU32JQ1R400的封装形式为TO-220，具有良好的机械稳定性和热传导性能，便于安装和散热。其宽工作温度范围也使其适用于各种严苛环境，包括汽车电子和工业控制系统。

DP3R020SU32JQ1R400 主要应用于需要高效功率转换和控制的场合。常见应用包括：
　　1. DC-DC转换器：由于其低导通电阻和高开关速度，该MOSFET非常适合用于高效率的DC-DC转换器，如用于服务器电源、电信设备和消费电子产品中的电源模块。
　　2. 电机控制：在电机驱动和伺服控制系统中，DP3R020SU32JQ1R400可用于实现高效的功率控制和快速响应，适用于工业自动化和机器人系统。
　　3. 电源管理：该器件可应用于电源管理系统，如不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）和储能系统，确保系统的高效率和稳定性。
　　4. 汽车电子：由于其宽温度范围和高可靠性，DP3R020SU32JQ1R400适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电机驱动器。

STP32NM20ND, IPW60R008SJX-17