时间：2025/9/23 17:52:06
阅读：10
FTR-B3GA012Z-B10 是一款由富士通（Fujitsu）推出的高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（FRAM，Ferroelectric Random Access Memory）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电情况下长期保存数据，且无需电池支持。FTR-B3GA012Z-B10 提供1 Mbit（128 K × 8位）的存储容量，采用标准的并行接口设计，兼容通用的SRAM时序，便于系统集成和替换传统异步SRAM。该芯片工作电压为3.3V，适用于需要频繁写入、高耐久性和快速数据保存的应用场景。由于其独特的铁电存储技术，FTR-B3GA012Z-B10 具备几乎无限的写入寿命（高达10^14次读写周期），远超传统的EEPROM或闪存技术，同时写入速度极快，无需延迟等待写入完成。此外，该器件具备出色的抗辐射能力和高可靠性，广泛应用于工业控制、医疗设备、通信基础设施以及航空航天等对数据完整性要求严苛的领域。封装形式为44-pin TSOP-I，符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在恶劣环境下稳定运行。
品牌：Fujitsu
系列：FTR-B3GA
产品类型：FRAM（铁电RAM）
存储容量：1 Mbit
组织结构：128K × 8
接口类型：并行
供电电压：3.3V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装/外壳：44-TSOP（44-SOJ）
访问时间：70ns
待机电流：100μA（典型值）
工作电流：15mA（典型值，f = 1MHz）
写入耐久性：10^14 次/字节
数据保持时间：10年（最小值）
引脚数：44
安装类型：表面贴装（SMD）
FTR-B3GA012Z-B10 的核心特性在于其采用的铁电存储技术，这种技术利用铁电晶体材料的极化状态来存储数据，实现非易失性的同时保持类似SRAM的高速读写性能。与传统的EEPROM或Flash不同，FRAM无需进行擦除操作即可直接改写数据，极大提升了写入效率，并消除了因擦写延迟导致的数据丢失风险。该芯片支持高达10^14次的读写耐久性，意味着在实际应用中几乎不会因写入次数限制而出现寿命问题，特别适合需要高频数据记录的系统，如工业传感器日志、医疗监测设备和智能仪表等。
该器件的工作电压为3.3V，兼容大多数现代微控制器和处理器的I/O电平，简化了系统设计。其70ns的访问时间确保了快速的数据吞吐能力，能够满足实时性要求较高的应用场景。在功耗方面，FTR-B3GA012Z-B10 表现出色，待机电流仅为100μA，工作电流在典型频率下也维持在较低水平，有助于延长便携式设备的电池寿命。
此外，该芯片具备优异的数据保持能力，在+85°C环境下可确保数据保存至少10年，且无需备用电源。其抗辐射能力强，适合用于高可靠性要求的环境，如航空航天和工业自动化。44-pin TSOP-I封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于在高密度PCB上布局。整体而言，FTR-B3GA012Z-B10 在性能、可靠性和耐用性之间实现了良好平衡，是替代传统SRAM加备份EEPROM方案的理想选择。
FTR-B3GA012Z-B10 广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的工业和嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集模块和传感器节点，用于实时记录工艺参数、故障日志和配置信息，避免因突然断电导致关键数据丢失。在医疗设备中，如病人监护仪、输液泵和便携式诊断设备，该芯片可用于存储患者数据、操作日志和校准参数，确保数据安全性和合规性。
通信设备中，FTR-B3GA012Z-B10 可作为网络路由器、交换机或基站中的配置缓存，快速保存运行状态和网络设置，提升系统恢复速度。在智能仪表领域，如智能电表、水表和燃气表，该芯片用于记录使用量、事件日志和计费信息，支持频繁写入而不影响寿命。
此外，在测试与测量仪器、POS终端、汽车电子控制单元（ECU）以及航空航天电子系统中，FTR-B3GA012Z-B10 也发挥着重要作用，提供高速、可靠的非易失性存储解决方案。其无需电池的设计降低了维护成本和环境影响，符合绿色电子产品的发展趋势。
FM1808
CY15B104QSN
