DNA30E2200PZ-TUB 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,提供了高效的功率转换能力。DNA30E2200PZ-TUB 专为工业电机驱动、变频器、电源转换系统等应用设计,具备高可靠性和热稳定性。
类型:IGBT模块
额定电压:1200V
额定电流:30A
封装形式:PZ
导通压降:约1.55V @ 30A
短路耐受能力:有
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
存储温度范围:-40°C 至 +150°C
绝缘等级:符合UL认证
安装方式:通孔安装
DNA30E2200PZ-TUB 模块采用了先进的IGBT技术,具有较低的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。该模块的封装设计具有良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
其内置的反并联二极管能够有效处理再生能量,适用于电机驱动和逆变器应用。此外,该模块具备较强的短路保护能力,能够在异常工作条件下提供更高的可靠性和安全性。
该模块还采用了高绝缘等级的封装材料,确保在高电压应用中的电气隔离性能。同时,其紧凑的封装设计便于集成到各种工业设备中,节省空间并提高设计灵活性。
DNA30E2200PZ-TUB 主要用于工业自动化设备中的变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电能质量调节系统等应用。其高可靠性和高效能特性使其成为工业电力电子设备的理想选择。
此外,该模块还可用于电动汽车充电设备、智能电网系统以及工业电机控制等新兴应用领域。由于其良好的热管理和电气性能,DNA30E2200PZ-TUB 能够满足高要求的工业环境和长时间运行的需求。
SGM30T120RDT4G, FGA30N120D-T