时间：2025/9/14 15:59:32
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PSMN015-100B,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：220 A（在 Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：最大 1.5 mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN015-100B,118 具备多项优异性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench MOS 工艺，使得在相同的芯片面积下，导通电阻更低，电流承载能力更强。
其次，该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），这是一种高功率密度的封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性，能够有效提高散热效率，适用于高功率密度设计。
此外，PSMN015-100B,118 支持高达 220A 的连续漏极电流，适用于需要高电流能力的应用场景，如电动工具、汽车电子、工业电机控制等。其 ±20V 的栅源电压耐受能力也提高了在高压开关环境下的稳定性。
该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应各种恶劣工作环境，同时具备良好的可靠性，符合 AEC-Q101 汽车级认证，适用于汽车电子系统。
PSMN015-100B,118 广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于：
DC-DC 转换器：用于提高转换效率，特别是在同步整流拓扑中表现出色。
负载开关：适用于需要高电流控制的电源管理模块。
电机控制：用于电动工具、无人机、机器人等需要高功率输出的设备。
电池管理系统（BMS）：在高功率电池组中用于充放电控制。
汽车电子：如车载充电器、电动助力转向系统、电池保护电路等。
工业自动化：用于高效率的电源模块和电机驱动系统。
IPB015N10N3 G | Infineon Technologies
FDS4410A
PSMN022-100BSE,118
IRF1405PBF
SiR142DP
