时间：2025/7/15 18:41:41
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DMTH4004SPS-13是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件设计用于高效率、低电压应用，适用于电源管理和负载开关等场景。其封装形式为SOT26，小巧的尺寸使其非常适合空间受限的设计。DMTH4004SPS-13具备良好的热稳定性和电流承载能力，是一款高性能、低成本的功率开关解决方案。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs = -10V；130mΩ @ Vgs = -4.5V
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT26
DMTH4004SPS-13具有多项显著的技术特性，使其在多种应用中表现出色。
首先，该MOSFET的漏源电压额定值为-40V，能够满足大多数低压和中压功率转换需求。其P沟道结构设计适合用作高端开关，尤其在同步整流和DC-DC转换器中表现优异。此外，该器件的最大连续漏极电流为-4A，足以应对中等功率的负载控制任务。
其次，DMTH4004SPS-13的导通电阻较低，在Vgs为-10V时仅为85mΩ，而在Vgs为-4.5V时则为130mΩ。这使得该器件在工作过程中产生的热量较少，从而提高了系统的整体能效并降低了散热要求。对于需要高效率的小型电源系统来说，这是一个重要的优势。
DMTH4004SPS-13广泛应用于多个领域的电子产品中，尤其适合对效率和空间要求较高的设计方案。
Si4435BDY, AO4406A, FDS6680, NTR4182P
