时间：2025/9/2 14:11:14
阅读：6
JX2N1998 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于中高功率的开关应用中。这款器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等多种应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：1.4A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
JX2N1998 MOSFET 的核心特性之一是其在相对较低的成本下提供了良好的性能表现。它具有较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力（60V VDS）使其能够适应多种中等电压的应用需求。
该 MOSFET 采用了标准的 TO-92 或类似的小型封装形式，便于在各种电路板上安装和使用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可以在 4.5V 到 20V 之间正常工作，这使得它兼容多种驱动电路设计。
另一个显著优势是其较高的热稳定性。JX2N1998 在高温环境下依然能保持稳定的性能，适合在一些恶劣工作条件下使用。其快速开关特性也使得它在高频开关应用中表现良好，有助于减小外部元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。
由于其封装小巧、性能稳定且价格实惠，JX2N1998 常用于教学实验、小型电源模块、玩具电子和简单的电机控制电路中。
JX2N1998 主要用于低压电源管理系统、小型电机驱动电路、LED 控制器、电池供电设备、玩具电子、继电器驱动电路以及各类低功率 DC-DC 转换器等应用场景。它也适用于作为负载开关或逻辑电平控制的接口器件。
2N7000, 2N7002, BSS138
