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SI8236AA-D-IMR 发布时间 时间:2025/8/21 13:17:54 查看 阅读:8

Si8236AA-D-IMR 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、单通道隔离式栅极驱动器 IC,广泛应用于功率电子领域,如工业电机驱动、逆变器和电源转换系统。该芯片采用了 Silicon Labs 的专利数字隔离技术,提供了高可靠性、高抗噪能力和出色的电气隔离性能。Si8236AA-D-IMR 适用于驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件,能够在恶劣的电磁环境下保持稳定运行。

参数

工作电压:2.5V 至 5.5V
  输出驱动能力:拉电流/灌电流最大为 4.0A / 6.0A
  传播延迟:典型值 60ns
  脉宽失真:小于 10ns
  隔离电压:5kVRMS(符合 UL、VDE 标准)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:8 引脚宽体 SOIC
  安全认证:UL、CSA、IEC 60747-5-2、IEC 61010

特性

Si8236AA-D-IMR 具有出色的电气隔离性能,其隔离电压高达 5kVRMS,确保了在高压应用中的安全性。该芯片采用数字隔离技术,相较于传统的光耦隔离方案,具有更高的稳定性和更长的使用寿命。其输出驱动能力较强,拉电流最大为 4.0A,灌电流最大为 6.0A,可以高效驱动功率器件,减少开关损耗。
  此外,Si8236AA-D-IMR 的传播延迟仅为 60ns,具备优异的高速响应能力,适用于高频开关应用。脉宽失真小于 10ns,保证了信号传输的精确性,有助于提高系统效率和稳定性。该芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时,驱动输出将被自动关闭,以防止功率器件误动作。
  其宽体 SOIC 封装设计有助于提高爬电距离和间隙距离,增强器件在高污染等级环境下的适用性。Si8236AA-D-IMR 还具备高共模瞬态抗扰度(CMTI)特性,能够在高 dv/dt 环境下保持信号完整性,从而提高系统的可靠性和抗干扰能力。

应用

Si8236AA-D-IMR 主要应用于需要高隔离性能和高效驱动能力的功率电子系统中。常见应用包括工业电机驱动、伺服驱动器、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备、智能电网设备以及各类高电压 DC-AC 或 DC-DC 转换器。此外,该芯片也可用于工业自动化设备中的 IGBT 或 MOSFET 驱动电路,提供可靠的电气隔离和稳定的信号传输,确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
  由于其出色的抗噪能力和高 CMTI 特性,Si8236AA-D-IMR 也广泛用于高功率密度电源设计和新能源领域,如风力发电变流器、储能系统和智能电表等应用场景。

替代型号

Si8235BB-D-ISR, ADuM4223-ARIZ, UCC21520DWPR

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SI8236AA-D-IMR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离1000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VFLGA
  • 供应商器件封装14-LGA(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE