时间：2025/5/26 16:30:16
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DMT47M2LDVQ 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高效应用而设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频电源转换、射频功率放大器和其他高性能应用场景。
DMT47M2LDVQ 的封装形式为表面贴装型，能够提供出色的散热性能和电气连接稳定性。其独特的材料特性和结构设计使其在高频和高功率密度应用中表现优异。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：120nC
开关频率：高达 5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMT47M2LDVQ 的主要特性包括：
1. 高效的 GaN 基 HEMT 结构，具备低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高达 600V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
3. 最大漏极电流可达 25A，确保在高负载条件下稳定运行。
4. 低栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适合极端环境下的使用。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
DMT47M2LDVQ 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 射频功率放大器。
3. 无线充电系统。
4. 汽车电子中的逆变器和电源管理系统。
5. 工业设备中的高效电源转换模块。
6. 数据中心服务器电源和其他高性能计算应用。
DMT47M2LDVQH, DMT47M2LDVQL
