SD103ATW是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于需要低导通电阻和快速开关性能的场景,广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用领域。其封装形式为SOT-23,具有小尺寸和高效率的特点,适合对空间要求较高的电路设计。
SD103ATW通过优化的制造工艺实现了较低的导通电阻和极佳的开关特性,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:0.95Ω
总电荷量:15nC
栅极电荷:6nC
输入电容:270pF
开关时间:典型值ton=10ns, toff=15ns
SD103ATW具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在低电压条件下保持高效运行。
2. 快速的开关速度,适用于高频开关应用场景。
3. 小型化的SOT-23封装,非常适合便携式设备和其他空间受限的设计。
4. 良好的热稳定性,能够适应广泛的温度范围。
5. 高可靠性和长寿命,确保在多种环境下稳定工作。
6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和装配。
这些特性使得SD103ATW成为许多便携式电子设备和工业控制系统的理想选择。
SD103ATW广泛应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理和保护电路。
3. 消费类电子产品中的信号切换和逻辑电平转换。
4. 工业自动化控制中的小型电机驱动和继电器替代。
5. LED驱动器中的电流调节和开关控制。
由于其紧凑的封装和高效的性能,SD103ATW在移动设备、物联网设备和汽车电子中也有广泛应用。
SD103N, BSS138, AO3400