类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散：1W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT26（SOT-23-6）

ZACS362-100WS+ MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。在VGS为4.5V时，RDS(on)仅为65mΩ，这对于高效率电源转换应用尤为重要。
　　其次，该器件采用了双N沟道结构，允许在单个封装内实现两个独立的MOSFET通道，从而减少了PCB布局空间并简化了电路设计。每个通道的最大连续漏极电流为4.4A，适合中高功率应用。
　　此外，ZACS362-100WS+的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平（如3.3V和5V）直接驱动，这使得其与微控制器或其他数字控制电路的接口更加简便。
　　该器件的封装形式为SOT26（SOT-23-6），是一种小型表面贴装封装，适合自动化生产和高密度布局。其工作温度范围为-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行，适用于工业级和消费类电子设备。
　　最后，ZACS362-100WS+具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较高的环境温度下持续工作，同时具备良好的短路和过热保护能力，适合在苛刻的工作条件下使用。

ZACS362-100WS+ MOSFET适用于多种高效率和高集成度的电子系统设计。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。其双通道结构使其非常适合H桥电路中的电机驱动应用，如小型电机控制、机器人和自动化设备。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于便携式设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，以提高能效和延长电池寿命。在工业控制系统中，它可被用于传感器接口、继电器替代和LED驱动电路。
　　此外，由于其支持逻辑电平驱动，ZACS362-100WS+也可用于微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）控制的开关应用，如I/O扩展器、电源排序和热插拔控制等场景。对于需要紧凑设计和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制模块（BCM），该器件同样具有良好的适应性。

ZACS362-100WS+的替代型号包括ZXMN6A02F、FDMS3618、DMN6024S和AO4406A。