时间：2025/4/29 16:17:25
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DMT35M8LDG 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现高效的导通性能。
DMT35M8LDG 使用先进的制造工艺，在确保低 Rds(on) 的同时具备出色的热性能和电气特性。它广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
型号：DMT35M8LDG
类型：N 沭道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V 时）
VGS（栅源电压）：±20V
IDS（连续漏极电流）：16A
Ptot（总功耗）：27W
fSW（切换频率）：支持高达 2MHz 的高频应用
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMT35M8LDG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 逻辑电平驱动兼容性，允许使用较低的栅极驱动电压（如 5V 或 10V），简化了电路设计。
3. 高频性能优越，适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和同步整流。
4. 封装形式为 TO-252 (DPAK)，具有良好的散热性能。
5. 提供宽广的工作温度范围，适应多种环境条件下的稳定运行。
6. 高可靠性设计，符合严格的工业标准和质量要求。
DMT35M8LDG 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关元件。
2. 同步整流电路，提升转换效率。
3. 电机驱动和控制电路，提供高效功率输出。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
7. LED 照明驱动电路，实现高亮度调节功能。
DMT35M8LPG, DMT35M8LDGQ, DMT35M8LPGQ
