时间：2025/7/7 9:17:27
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SLF5N65SV是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率变换电路。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
该型号属于超结MOSFET技术系列，能够在高频工作条件下保持较低的损耗，同时提供出色的热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：30nC
输入电容：1400pF
开关时间：ton=27ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
SLF5N65SV具有以下关键特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达650V的漏源电压，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻，在大电流应用中可显著降低功耗。
3. 快速开关能力，确保在高频应用中的效率和稳定性。
4. 超结技术带来的更优的热性能和更高的电流密度。
5. 优异的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在异常情况下保护电路。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间并简化布局设计。
SLF5N65SV广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器和电机驱动
4. PFC（功率因数校正）电路
5. 各类工业控制设备
6. LED驱动和汽车电子系统
其高频特性和低损耗特点使其特别适合需要高效能量转换的应用场景。
STF5N65WZ
IRFB4110
FDP5N65
