时间：2025/5/7 17:10:34
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DMPH4026SFVW是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装。该器件适用于多种功率转换和开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其在效率和热性能方面表现出色。
这款MOSFET属于Diodes Incorporated公司的产品系列，主要设计用于低压和高电流的应用环境。通过优化的制造工艺，该器件能够在高频开关条件下提供出色的性能，并且具有较高的雪崩能力和鲁棒性以应对异常工作条件。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关速度：超快
结温范围：-55℃至+175℃
DMPH4026SFVW的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低功耗并提升系统效率。
2. 超小的SOT26封装形式，节省PCB空间。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 高雪崩能量能力，确保在短路或过载情况下可靠运行。
5. 具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够承受极端的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和控制。
5. 负载开关和固态继电器。
6. 各种消费类电子产品及工业设备中的功率管理模块。
DMPH4026SFVQ, DMPH4026SFV, DMTH4026SFV
