MTP52N06V是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
其封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的规格。MTP52N06V适用于需要高效能和可靠性的电路设计中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:52A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:1670pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
总功耗:140W
MTP52N06V的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 高电流处理能力,支持大功率设备。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下依然保持可靠的性能。
5. 紧凑且高效的封装设计,便于PCB布局和散热管理。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
MTP52N06V广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED驱动器和其他高效率需求的应用场景。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5500
IXYS52N06P2