类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-5.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：58mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1.0V（@ ID = -250μA）
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ VDS = -10V, VGS = 0V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ VDS = -10V, VGS = 0V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（@ VDS = -10V, VGS = 0V）
　　栅极电荷（Qg）：5.5nC（@ VGS = -4.5V）
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：12ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：SOT-26（SOT-23）

DMP6023LFG-13 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽式场效应晶体管技术，确保在低电压应用中实现优异的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)典型值仅为58mΩ，这显著降低了在电源通路中的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性尤其适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于延长电池续航时间。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.5V至-1.0V，能够在较低的栅极驱动电压下实现快速导通，兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其输入电容和栅极电荷较小，使得开关速度更快，动态响应更佳，适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　DMP6023LFG-13还具备出色的热性能和可靠性。SOT-26封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且具有良好的散热能力，能够在高负载条件下维持稳定的结温。器件的最大工作结温高达+150°C，并支持-55°C至+150°C的宽工作温度范围，适用于严苛的工业环境和高温应用场景。
　　在保护特性方面，该MOSFET具备一定的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在实际使用中的鲁棒性。此外，其反向传输电容（Crss）较低，有助于减少米勒效应引起的误触发风险，提升开关过程的稳定性。综合来看，DMP6023LFG-13凭借其低RDS(on)、快速开关、小尺寸封装和高可靠性，成为众多低压P-MOS应用中的理想选择。

DMP6023LFG-13广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理单元，如手机、MP3播放器、蓝牙耳机等产品的电池充电与放电控制电路。由于其低导通电阻和快速响应特性，常被用作高端负载开关，用于控制电源通断，防止反向电流，实现系统节电模式下的电源隔离。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于同步降压或线性稳压器的上桥臂开关，配合N沟道MOSFET或控制器实现高效的电压调节。此外，它也适用于过压保护（OVP）、过流保护（OCP）等电源监控电路中，作为控制通断的关键元件。
　　在工业与通信领域，DMP6023LFG-13可用于传感器模块、智能仪表、远程终端单元（RTU）等低功耗设备的电源切换。其SOT-23封装非常适合自动化贴片生产，有利于提高生产效率和产品一致性。同时，因其符合RoHS和无卤素要求，满足出口电子产品对环保法规的合规性需求，因此在消费类、工业类及汽车电子辅助系统中均有广泛应用前景。

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　　 "DMG2302UK-7",
　　 "FMMT718",
　　 "AO3401A",
　　 "Si2301DS",
　　 "BSS84"
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