类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：140A
　　最大漏-源电压：100V
　　导通电阻：典型值为5.2mΩ
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

SKT140F10DU具有极低的导通电阻，这使得其在高负载条件下能够减少功率损耗并提高能效。模块内部采用了先进的功率晶体管结构，以增强其导热性能和耐用性。
　　该模块还具备出色的短路耐受能力，能够在极端条件下提供稳定的性能。此外，其封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中保持较低的工作温度。
　　SKT140F10DU采用高可靠性的材料制造，能够承受较高的机械应力和热应力，适用于苛刻的工作环境。其双功率晶体管设计使其能够在高频率下工作，从而提高系统的整体效率。
　　这款MOSFET模块的驱动能力较强，可以支持多种不同的控制电路设计，从而提高了设计的灵活性。同时，模块的输入电容较小，减少了驱动电路的负担，提高了响应速度。

SKT140F10DU广泛应用于工业自动化设备中的电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备以及新能源系统中的功率转换模块。此外，该模块也常用于高功率直流电源系统、电动汽车充电设备以及大型家电中的功率控制电路。
　　在工业控制领域，该模块可以作为高性能功率开关，用于控制大功率负载的启停和调速。在电源系统中，它可以作为主功率开关，负责将直流电源转换为交流电源，以供各种设备使用。
　　由于其高可靠性和高效率的特性，SKT140F10DU也常用于医疗设备、测试设备和高精度测量仪器中的功率管理模块。

IXT140N10P、STP140N10F7、FDP140N10