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DMP4065SQ-13 发布时间 时间:2025/4/29 10:45:10 查看 阅读:5

DMP4065SQ-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET功率晶体管,采用超小型DFN2020-8L封装。这款器件主要针对低电压、高效率应用而设计,具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
  该MOSFET在导通状态下的低电阻特性有助于减少传导损耗,从而提高整体系统的能效,并且其紧凑的封装形式使其成为空间受限应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏电流:4.1A
  导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  栅极电荷:3.5nC(典型值)
  总电容:790pF(典型值,Ciss)
  功耗:1.23W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:DFN2020-8L

特性

DMP4065SQ-13的主要特点是其卓越的低导通电阻性能,这使得它在轻负载条件下依然能够保持较高的效率。此外,它的超小型封装极大地节省了PCB板上的空间,适合现代电子设备对小型化的需求。
  该器件还具备出色的热稳定性,在高温环境下也能可靠运行,同时其快速开关能力可以减少开关损耗,进一步提升系统效率。
  由于其低栅极电荷,驱动所需的能量较低,因此在高频开关应用中表现优异,例如同步整流、DC-DC转换器等场景。

应用

DMP4065SQ-13广泛应用于各种电源管理电路中,包括但不限于:
  1. 移动设备中的电池充电管理电路。
  2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
  3. 同步整流电路。
  4. 消费类电子产品中的负载开关。
  5. 工业控制中的信号切换。
  6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源管理系统。
  总之,任何需要高效能和小型化解决方案的应用都可以考虑使用此款MOSFET。

替代型号

DMN2020UFG-13,DMP2072UFG-7

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DMP4065SQ-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥1.34213卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)587 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)720mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3