DMP4065SQ-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET功率晶体管,采用超小型DFN2020-8L封装。这款器件主要针对低电压、高效率应用而设计,具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
该MOSFET在导通状态下的低电阻特性有助于减少传导损耗,从而提高整体系统的能效,并且其紧凑的封装形式使其成为空间受限应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏电流:4.1A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
栅极电荷:3.5nC(典型值)
总电容:790pF(典型值,Ciss)
功耗:1.23W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:DFN2020-8L
DMP4065SQ-13的主要特点是其卓越的低导通电阻性能,这使得它在轻负载条件下依然能够保持较高的效率。此外,它的超小型封装极大地节省了PCB板上的空间,适合现代电子设备对小型化的需求。
该器件还具备出色的热稳定性,在高温环境下也能可靠运行,同时其快速开关能力可以减少开关损耗,进一步提升系统效率。
由于其低栅极电荷,驱动所需的能量较低,因此在高频开关应用中表现优异,例如同步整流、DC-DC转换器等场景。
DMP4065SQ-13广泛应用于各种电源管理电路中,包括但不限于:
1. 移动设备中的电池充电管理电路。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 同步整流电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业控制中的信号切换。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源管理系统。
总之,任何需要高效能和小型化解决方案的应用都可以考虑使用此款MOSFET。
DMN2020UFG-13,DMP2072UFG-7