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DMP4025LSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:45:21 查看 阅读:16

DMP4025LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率管理的电子电路中。该器件采用小型DFN2020封装(2x2mm),适用于空间受限的设计,如便携式设备、电源管理系统和负载开关电路。DMP4025LSS-13具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,能够支持较高的电流负载,同时保持较低的功耗。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±8V
  最大连续漏极电流(ID):-4.8A
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS = -4.5V,60mΩ @ VGS = -2.5V
  功率耗散(PD):1.2W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:DFN2020(2x2mm)

特性

DMP4025LSS-13具备多个关键特性,使其在多种功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻显著减少了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。该特性在电池供电设备中尤为重要,因为它可以延长电池寿命。
  其次,该MOSFET采用DFN2020小型封装,提供了出色的热性能和空间利用率,适用于紧凑型PCB设计。封装设计也支持良好的散热性能,确保在较高负载条件下仍能稳定运行。
  此外,DMP4025LSS-13具有较高的栅极电压兼容性,支持2.5V至4.5V的栅极驱动电压,这使其能够与多种控制电路(如低压微控制器)直接连接,而无需额外的电平转换器。
  该器件还具有良好的抗静电(ESD)能力和高可靠性,适合工业和消费类电子产品使用。其工作温度范围宽达-55°C至150°C,表明其在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
  最后,该MOSFET具有快速开关特性,能够减少开关损耗,适用于需要高频操作的应用场景。

应用

DMP4025LSS-13适用于多种低电压功率管理应用。常见的应用包括便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的负载开关、电源管理单元、DC-DC转换器以及电池充电和保护电路。此外,它也可用于工业控制系统、电机驱动电路和传感器模块中的功率开关应用。
  由于其低导通电阻和小型封装,DMP4025LSS-13特别适合用于需要高效率和紧凑设计的系统。例如,在电源管理系统中,它可以作为高边开关,用于控制不同子系统的电源供应,从而优化功耗。
  在消费类电子产品中,该MOSFET可用于电池保护电路,防止过流、过热和短路情况下的损坏。同时,其快速开关特性也使其适用于需要PWM(脉宽调制)控制的LED背光或马达控制应用。
  另外,DMP4025LSS-13还可用于USB电源开关、热插拔电路以及智能卡读写器等设备中的功率控制。

替代型号

Si4435BDY, FDC6303L, AO4496, NTR4502P

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DMP4025LSS-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.00000剪切带(CT)2,500 : ¥2.70157卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1640 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.52W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)