类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.6A
　　导通电阻RDS(on)：-45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：-52mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：270pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23

DMP4015SPS-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过在硅片上形成垂直的沟槽栅极来显著降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体效率。该MOSFET的低RDS(on)特性意味着在导通状态下功耗更小，有助于减少热量积聚并提高系统的能效表现。尤其是在电池供电设备中，这一优势可以有效延长续航时间。其RDS(on)在-4.5V栅压下仅为45mΩ，在-2.5V时也仅为52mΩ，表明它具备良好的低电压驱动能力，适合用于现代低电压数字控制系统。
　　该器件的SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够满足高密度PCB布局需求。尽管封装尺寸较小，但其仍能承受高达-1.9A的连续漏极电流，适用于轻载到中等负载的开关应用。同时，其最大工作结温可达+150°C，确保在高温环境下依然保持可靠运行。器件的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，属于典型的逻辑电平兼容范围，因此可以直接由微控制器或逻辑门电路驱动，无需额外的电平转换或驱动IC。
　　在开关特性方面，DMP4015SPS-13表现出快速的开启与关断响应，输入电容仅为270pF，减少了驱动电路所需的充电能量，进一步提升了高频工作的可行性。虽然数据手册未明确给出反向恢复时间，但由于是P沟道MOSFET且主要用于同步整流或负载开关，体二极管的性能通常不是主要关注点。总体而言，DMP4015SPS-13在小型化、高效能和易用性之间取得了良好平衡，是一款理想的低压P沟道功率开关器件。

DMP4015SPS-13常被应用于需要小型化和高效率的低压电源管理系统中。典型用途包括便携式电子设备中的电源开关，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和其他移动终端，用于控制不同功能模块的供电通断以实现节能管理。此外，它也广泛用于电池供电系统中的反向极性保护电路，防止因电池装反而导致主电路损坏。在负载开关设计中，该器件可用于实现上电时序控制、浪涌电流限制以及热插拔保护等功能。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，DMP4015SPS-13可作为GPIO扩展的功率驱动器，用于控制LED背光、传感器模块或无线通信单元的电源。其逻辑电平兼容性使得它可以无缝接入3.3V或5V数字系统，无需复杂的驱动电路。在DC-DC转换器拓扑中，该MOSFET也可用于同步整流配置，尤其是在低输出电压、小功率的Buck转换器中作为上管或下管使用，以提高转换效率。
　　此外，该器件还适用于各类工业控制板、智能家居设备和消费类电子产品中的信号切换与电源路由应用。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，DMP4015SPS-13也被用于环境较为严苛的工业现场设备中。总之，凡是需要一个小型、高效、易于驱动的P沟道MOSFET来完成电源开关任务的场合，DMP4015SPS-13都是一个极具竞争力的选择。

DMG2305L-7
　　AO3415
　　FDMC8203
　　SI2305DS