SKD116/16-L105 是由 STMicroelectronics 生产的一款功率 MOSFET 晶体管,适用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造技术,以提供高效率和可靠性。该 MOSFET 通常用于电源转换器、电机控制、电池管理系统和其他高功率应用中。
类型: MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)
极性: N 沟道
最大漏极电流 (Id): 160A
最大漏源电压 (Vds): 60V
导通电阻 (Rds(on)): 0.018Ω
功率耗散 (Ptot): 200W
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: TO-247
SKD116/16-L105 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻,使其在高电流应用中表现出色。其低 Rds(on) 值减少了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的热管理能力,适用于高功率密度设计。其高耐压能力(60V)和大电流容量(160A)使其适用于各种高功率开关电路。该器件的 TO-247 封装形式有助于散热,确保在高负载条件下稳定运行。此外,该 MOSFET 具有快速开关特性,适用于高频开关电源和逆变器等应用。
SKD116/16-L105 广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及新能源系统(如太阳能逆变器和电动车控制系统)中。由于其优异的导电性能和热管理能力,它也常用于高功率音频放大器和不间断电源(UPS)系统中。
STP150N6F6-1, STP160N6F6-1, FDP160N6F6