DMF2186是一款由Diodes公司生产的双MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,适用于高效率功率转换和负载开关应用。该器件集成了两个独立的MOSFET,通常用于同步整流、DC-DC转换器、电池管理和电源管理系统中。DMF2186采用小型SOT26封装,具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于便携式电子设备和高性能电源管理模块。
类型:双MOSFET
封装类型:SOT26
最大漏极电流(ID):4A(每个MOSFET)
最大漏源电压(VDS):20V
导通电阻(RDS(on)):120mΩ(典型值)
栅极电压(VGS):±12V
工作温度范围:-55°C至150°C
功率耗散:1.5W(在25°C环境温度下)
配置:双N沟道MOSFET
DMF2186采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻和更高的电流密度,从而降低功率损耗并提高系统效率。其双MOSFET结构允许在同步整流拓扑中同时控制两个开关,减少外部元件数量并简化PCB布局。SOT26小型封装使其非常适合用于空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗设备。此外,DMF2186具有良好的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定运行,并具备较高的耐用性和可靠性。
DMF2186广泛应用于DC-DC降压/升压转换器、电池充电/放电管理电路、负载开关控制、电源分配系统以及便携式消费类电子产品中的高效电源管理模块。其高集成度和紧凑设计使其成为现代电子设备中不可或缺的功率管理元件。
DMF3186, DMF5186, DMF1186