时间：2025/8/13 19:02:07
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LESD8LF5.5CT5G 是一款由ON Semiconductor生产的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管阵列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬变的影响而设计，适用于多种高速数据线路和精密接口的保护应用。
工作电压：5.5 V
钳位电压（Ipp=1A）：15 V（最大）
反向击穿电压：6.5 V
最大反向漏电流：1 μA
电容（1 MHz）：1.5 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-323（SC-70）
引脚数：3
LESD8LF5.5CT5G 采用了先进的硅雪崩技术，提供高效的ESD保护能力。该器件具有极低的结电容（典型值为1.5 pF），适用于高速信号线路，如USB、HDMI、以太网等接口的保护。其双向保护结构可以同时应对正负极性的瞬态电压事件，从而有效保护后端电路免受损坏。此外，该器件的钳位电压较低，能够在瞬态事件中将电压限制在安全范围内，减少对被保护设备的冲击。LESD8LF5.5CT5G 还具有快速响应时间，能够在纳秒级内对ESD事件做出反应，确保系统稳定性。
该器件的封装为SOT-323（SC-70），体积小巧，适合在空间受限的便携式设备中使用。此外，其低漏电流特性（最大1 μA）确保在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响。LESD8LF5.5CT5G 的高可靠性使其成为工业控制、通信设备、消费电子产品以及汽车电子系统中ESD保护的理想选择。
LESD8LF5.5CT5G 主要用于各种电子设备中需要ESD保护的场合。常见的应用包括USB接口、HDMI端口、以太网连接器、RS-232通信线路、音频/视频接口等高速信号线路的保护。此外，该器件也广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业控制器、通信模块以及汽车电子系统中的敏感电路保护。由于其低电容和双向保护特性，LESD8LF5.5CT5G 特别适合用于保护高速数据传输线路，确保信号完整性不受ESD事件影响。
LESD8LF5.5CT5G的替代型号包括LESD8LF5.5CS5G、LESD8LF5.5CT5、LESD8LF5.5CTR4G等，这些型号在参数和封装上略有差异，可根据具体应用需求进行选择。
