时间：2025/4/27 14:01:47
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SIRA12DP-T1-GE3 是一款基于硅材料的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），设计用于保护电子电路免受瞬态过电压的影响，例如静电放电（ESD）、雷击浪涌和负载突降等。它属于 Littelfuse 公司的 SIRA 系列 TVS 二极管阵列产品线，采用双向保护配置，适用于电信、数据通信和工业设备中的信号线路保护。
该器件具有快速响应时间、低电容以及出色的 ESD 抑制能力，使其非常适合高速数据线和接口电路的保护应用。
工作电压：12V
峰值脉冲电流：67A
最大反向工作电压：12.8V
击穿电压：14.1V
箝位电压：25.9V
结电容：10pF
响应时间：1ps
封装类型：DO-214AC (SMAJ)
SIRA12DP-T1-GE3 提供高效的瞬态电压抑制功能，其双向保护设计确保了对正负瞬态电压的全面防护。它的超低电容值使得其适合于高速信号线路的应用，不会显著影响信号完整性。此外，该器件还具备以下特点：
1. 快速响应时间：能够在皮秒级别内响应瞬态事件，从而有效保护下游敏感元件。
2. 高度可靠的性能：符合 IEC 61000-4-2 标准，能够承受高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
3. 小型化封装：DO-214AC 封装形式节省空间，便于在紧凑型设计中使用。
4. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足现代绿色电子产品的需求。
SIRA12DP-T1-GE3 广泛应用于需要高性能瞬态电压抑制的各种场景，包括但不限于：
1. 数据通信端口保护，如 USB、HDMI 和 DisplayPort 等高速接口。
2. 工业自动化设备中的信号线路保护。
3. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
4. 电信设备中的射频信号线路防护。
5. 消费类电子产品中的音频/视频接口防护。
SMBJ12CA, PESD12QA, SMSP12A
