DMP3105LVT 是一款 N 没道沟槽场效应晶体管(MOSFET),采用小尺寸封装设计,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的最大特点是其出色的热性能和电气性能,适用于高密度电路板布局的场景。
类型:N 没道 MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):±8V
连续漏极电流 (Id):4.7A
导通电阻 (Rds(on)):65mΩ @ Vgs=4.5V
总功耗 (Ptot):420mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
DMP3105LVT 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可显著减少导通损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高电流处理能力,在小型封装中提供卓越的性能。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 便携式电子设备中的电源管理。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 信号切换和保护电路。
DMP3105LVT 凭借其高效能和紧凑的设计,成为现代电子设备的理想选择。
DMP2005UFG
DMP2008UFG
AO3400