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DMP3099LQ-7 发布时间 时间:2025/7/2 16:19:30 查看 阅读:8

DMP3099LQ-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated生产。该器件采用了先进的制造工艺,旨在为高效率开关应用提供卓越的性能。
  这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动等应用领域。其封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:3.6A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:1.9nC
  反向恢复时间:18ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

DMP3099LQ-7的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够显著减少开关损耗。
  3. 小巧的SOT-23封装,非常适合紧凑型设计。
  4. 高雪崩能力和鲁棒性,可确保在恶劣条件下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该MOSFET适用于多种电子应用,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统的保护电路。
  4. 各类消费类电子产品中的负载切换。
  5. 电机驱动和音频放大器的功率级控制。
  DMP3099LQ-7凭借其优异的性能,在上述应用场景中表现出色,是许多设计工程师的理想选择。

替代型号

DMP2020UFG-7
  DMP2029UFG
  DMP3099LQ

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DMP3099LQ-7参数

  • 现有数量1,133现货
  • 价格1 : ¥2.86000剪切带(CT)3,000 : ¥0.53924卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)563 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.08W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3