2SJ187是一种P沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高效能和稳定性的电源管理电路中。该晶体管采用TO-92封装,具备良好的热稳定性和电气特性。由于其高性能和可靠性,2SJ187在电源开关、电压调节、信号放大等电路中得到了广泛应用。
类型:P沟道MOSFET
封装:TO-92
最大漏极电流(ID):-50mA
最大漏极电压(VDSS):-30V
最大栅极电压(VGSS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约1.5Ω @ VGS = -10V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
最大功耗:300mW
2SJ187具有以下几个显著特性:
首先,其P沟道结构使其在负电压条件下能够有效地导通,适用于多种电源管理和开关电路。由于其较高的漏极电压额定值(-30V),该器件可以在较高的电压条件下稳定工作。
其次,2SJ187的导通电阻较低,约为1.5Ω,这使得在导通状态下的功率损耗较小,提高了整体电路的效率。这对于需要长时间运行的设备来说尤为重要,可以减少发热并提高可靠性。
另外,该晶体管具备较高的栅极电压耐受能力,最大栅极电压为±20V,这意味着它可以在较宽的控制电压范围内稳定工作,适用于各种控制电路。
在封装方面,2SJ187采用TO-92标准封装,这种封装形式体积小、重量轻,适合在空间有限的电路板上使用。同时,TO-92封装具备良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
此外,2SJ187的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端温度环境下保持良好的工作性能,适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用领域。
2SJ187的应用范围非常广泛,主要包括以下几个方面:
首先,在电源管理电路中,2SJ187常用于作为开关器件,用于控制电源的通断。其较低的导通电阻和较高的电压耐受能力使其非常适合用于DC-DC转换器、电池充电电路等。
其次,在信号放大电路中,2SJ187可以作为放大器件,用于放大微弱的模拟信号。由于其良好的线性特性和低噪声性能,该晶体管可以在音频放大、传感器信号处理等领域发挥作用。
此外,2SJ187也广泛应用于数字逻辑电路中,作为逻辑开关使用。其快速的开关特性使得它适合用于高频开关电路,如脉宽调制(PWM)控制器、定时器电路等。
在汽车电子系统中,2SJ187可用于控制车灯、电机、传感器等部件的电源管理,其宽温度范围和高可靠性使其特别适合这种恶劣环境下的应用。
最后,在工业自动化设备中,该晶体管也可用于控制继电器、执行器等负载,实现精确的电气控制。
2SJ103, 2SJ74, 2SJ176