时间：2025/4/29 12:35:21
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DMP3045LFVW是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用LFPAK8封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池保护电路等。
该MOSFET的制造工艺基于先进的半导体技术，确保了高效率和可靠性。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1620pF
总电荷：16nC
结温范围：-55℃至175℃
DMP3045LFVW具有非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.2毫欧，这使得它非常适合大电流应用，能够有效降低功率损耗。
此外，该MOSFET具备快速开关能力，可以满足高频应用的需求。其LFPAK8封装提供了良好的散热性能和电气连接性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
器件的工作温度范围广泛，从-55℃到175℃，适应多种环境条件下的应用需求。通过优化的封装设计和材料选择，该产品在可靠性和耐用性方面表现出色。
DMP3045LFVW适用于广泛的电子领域，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- DC-DC转换器
- 电池管理系统中的负载开关
- 电机驱动电路
- 各类保护电路，如过流保护和短路保护
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合需要高效能量转换和低热耗散的应用场景。
DMP3045LFTQG
