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DMP3036SFV-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:23:42 查看 阅读:21

DMP3036SFV-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用小型化的 TDFN 封装(3mm x 3mm),具备良好的热性能和空间效率,适合用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品中。该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))特性,可在低电压条件下实现高效能的开关操作。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  封装:TDFN(3mm x 3mm)
  最大漏源电压(Vds):-30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):-4.1A(在Vgs=10V)
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

DMP3036SFV-13 的主要特性之一是其较低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其P沟道结构适用于高边开关应用,例如电池供电设备中的负载开关或电源切换。该器件的TDFN封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能,能够承受较高的工作温度,从而提高了器件在高功率密度应用中的可靠性。
  此外,DMP3036SFV-13 的栅极驱动电压范围较宽,支持从 -20V 到 +20V 的操作,这使得它适用于多种电源管理电路的设计。其快速开关能力也使其在DC-DC转换器、同步整流器以及马达控制等高频应用中表现出色。由于其优异的热性能和电气特性,该MOSFET在消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。

应用

DMP3036SFV-13 常用于以下类型的电路和系统中:
  ? 电池供电设备中的负载开关控制
  ? DC-DC 转换器和同步整流器
  ? 电源管理系统,如多路电源切换
  ? 马达驱动和电机控制电路
  ? 工业自动化设备和嵌入式系统中的高边开关
  ? 热插拔电源管理电路
  该器件适用于需要高效率、小尺寸封装和低导通电阻的应用场景,尤其适合对功耗和空间有严格要求的便携式电子产品。

替代型号

Si4435BDY-T1-GE3, FDC6330L, AO4496

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DMP3036SFV-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)3,000 : ¥1.69881卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1931 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN