时间：2025/5/7 9:41:36
阅读：7
DMP3013SFV是一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN33-8L封装形式。该器件适用于多种开关应用场合，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等电路中。
该型号由Diodes Incorporated生产，其设计目标是提供出色的功率密度和热性能，同时保持较小的占位面积，非常适合便携式电子设备和其他空间受限的应用场景。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：4.5A
导通电阻(RDS(on))：25mΩ @ VGS=4.5V
总栅极电荷(Qg)：17nC
开关速度：快速
工作温度范围(TA)：-55°C至150°C
DMP3013SFV具有非常低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了传导损耗并提高了系统效率。此外，其PDFN33-8L封装提供了卓越的散热性能，使得该器件能够在高电流条件下稳定运行。
它还具备较低的输入电容和输出电容，有助于实现快速开关，减少开关损耗。
此器件的紧凑封装也使其成为需要节省PCB空间的设计的理想选择。另外，其较高的工作温度范围增加了在各种环境下的可靠性和适应性。
DMP3013SFV广泛应用于消费类电子产品中的电源管理领域，包括但不限于笔记本电脑适配器、智能手机充电器以及平板电脑等便携式设备的内部电源电路。
在工业领域，它可以用于电机驱动器、电信电源以及其他需要高效能功率开关的场合。此外，在汽车电子方面，该MOSFET也能胜任诸如电池管理系统中的开关功能等任务。
DMP3014K3S, DMP3016SFV
