时间：2025/8/2 6:16:34
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DMP3004SSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于便携式电子设备、电池供电系统和电源转换器等场景。其封装形式为 SOT26（SOT-26），属于小型表面贴装封装，便于集成和节省空间。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：50mΩ @ VGS = -10V；80mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26
DMP3004SSS-13 具备多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 VGS = -10V 时，RDS(on) 仅为 50mΩ，而在 VGS = -4.5V 时也保持在 80mΩ 的较低水平，适用于多种栅极驱动电压条件。
其次，该 MOSFET 的漏源电压为 -30V，能够承受较高的反向电压，适用于中低压功率转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路。
此外，DMP3004SSS-13 采用 SOT26 封装，具有较小的体积和良好的热性能，适合高密度 PCB 设计。其表面贴装封装也便于自动化生产和回流焊工艺。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用环境。
最后，DMP3004SSS-13 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。
DMP3004SSS-13 主要应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、同步整流电路以及各种低电压功率管理模块。其低导通电阻和小型封装使其在需要高效率和空间限制的应用中尤为受欢迎。
Si4435BDY, IRML2803, DMG3415V
