时间：2025/8/25 5:37:54
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SGW5N60RUFTM 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率应用。该器件采用了先进的技术，提供了卓越的导通和开关性能，广泛用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：600 V
漏极电流 Id（最大值）：5 A
栅源电压 Vgs：±30 V
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2 Ω（在 Vgs=10V）
功率耗散 Pd：75 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220FP
SGW5N60RUFTM 具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用，例如电源转换器、电机驱动器和工业控制设备。此外，SGW5N60RUFTM 还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
这款 MOSFET 采用了 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。该封装还提供了良好的电气隔离，确保在高电压环境下安全运行。SGW5N60RUFTM 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与微控制器或其他控制电路的接口。
在短路和过载情况下，SGW5N60RUFTM 具备较强的抗冲击能力，能够承受短暂的过载条件而不损坏。这种特性使其在电机控制和电源管理系统中表现出色，能够提高系统的整体稳定性和寿命。
SGW5N60RUFTM 广泛应用于各种高功率和高电压场景，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、工业自动化设备、照明控制系统、家电控制模块等。此外，该器件也适用于需要高效能功率开关的新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。由于其高可靠性和良好的热性能，SGW5N60RUFTM 也非常适合用于需要长时间运行的工业设备和控制系统中。
SGW5N60RUFDTU, SGH5N60RUFTM, STW5N60M2, STP5NK60Z, FQA5N60C
